模拟电子技术基础试卷及答案

一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V，经过电容滤波后为 12 V，二极管所承受的最大反向电压为 14 V。 3．差分放大电路，若两个输入信号uI1uI2，则输出电压，uO 0 ；若u I1=100(V，u I 2=80(V则差模输入电压uId=20(V；共模输入电压uIc=90 (V。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中Au1Au230dB，Au320dB，则其总电压增益为 80 dB，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ 0 、静态时的电源功耗PDC= 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ A ）。 A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A．P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,Ri 为其输入电阻，RS 为常数，为使下限频率fL 降低，应（ D ）。 减小C，减小Ri B. 减小C，增大Ri C. 增大C，减小 Ri D. 增大C，增大 Ri 5.如图所示复合管，已知V1的(1 = 30，V2的(2 = 50，则复合后的(约为（ A ）。 A．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ D ）。 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a．不用输出变压器 b．不用输出端大电容 c．效率高 d．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a．正向导通区 b．反向截止区 c．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：VCC12V，RS10k(，RB1120k(， RB239k(，RC3.9k(，RE2.1k(，RL3.9k(，rbb’(，电流放大系数(50，电路中电容容量足够大，要求： 1．求静态值IBQ，ICQ和UCEQ(设UBEQ0.6V)； 2．画出放大电路的微变等效电路； 3．求电压放大倍数Au，源电压放大倍数Aus，输入电阻Ri，输出电阻Ro 。 4．去掉旁路电容CE，求电压放大倍数Au，输入电阻Ri。 (12分) 解: (1)





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