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MOSFET的击穿电压

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听风在笑看海在浪 上传于：2025-01-22
文档简介
当漏源极电压VDs超过一定限度时，漏源极电流I将迅速上升，如图a，CD段所示这种现象称为漏源击穿，使l迅速上升的漏源电压称为漏源击穿电压，极为BVos。在MOSFET中产生漏源击穿的机理有两种：一是PN结的雪崩击穿，二是漏源两区的穿通。
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