CCD和CMOS的区别CCD目前的技术比较成熟在尺寸方面也具有一定的优势由于工艺方面的原因CMOS的尺寸无法做的很大但其工艺复杂成本高耗电量大像素提升难度大等问题也是不可否认的而CMOS由于制造工艺简单因此可以在普通半导体生产线上进行生产其制造成本比较低廉CCD和CMOS各自的利弊我们可以从技术的角度来比较两者主要存在的区别a信息读取方式不同CCD传感器存储的电荷信息需在同步信号控制下一位一位的实施转移后读取电荷信息转移和读取输出需要有时钟控制电路和三组不同的电源相配合整个电路较为复杂CMOS传感器经光电转换后直接产生电流或电压信号信号读取十分简单b速度有所差别CCD传感器需在同步时钟的控制下以行为单位一位一位的输出信息速度较慢而CMOS传感器采集光信号的同时就可以取出电信号还能同时处理各单元的图象信息速度比CCD快很多c电源及耗电量CCD传感器电荷耦合器大多需要三组电源供电耗电量较大CMOS传感器只需使用一个电源耗电量非常小仅为CCD电荷耦合器的18到110CMOS光电传感器在节能方面具有很大优势d成像质量CCD传感器制作技术起步较早技术相对成熟采用PN结合二氧化硅隔离层隔离噪声成像