硅材料检测技术一填空冷热探笔法测太阳能电池导电类型在冷热二端之间建立电场电场的方向冷热电阻率公式二四太阳能电池片样品二端电压的变化量与半导体中非平衡载流子浓度成正比关系刃型位错的柏格斯矢量与位错线垂直而螺型位错的柏格斯矢量平行半导体硅是金刚石结构立方晶系半峰宽半峰宽纯水去离子水即去掉阴阳离子和有机物等杂质的水二名词解释载流子的扩散系数测试要满足的小注入条件无论是直流光电导法或高频光电导法测量少数载流子寿命时应满足的小注入条件注入比的定义是就符合小注入条件电化学腐蚀金属或半导体材料于高温在腐蚀气体中所受到的腐蚀腐蚀液可显示面缺陷广泛应用腐蚀时间储备液水溶液腐蚀液可腐蚀各个晶面随位错线深入到晶体中会出现深的腐蚀坑减少冰醋酸量可使腐蚀加快腐蚀时间小时微缺陷浅坑与位错蚀坑的区别前者呈浅的平底坑显微镜下呈白亮的芯而后者呈深的尖底坑显微镜下呈黑三角形半峰宽在吸收系数与波数关系曲线上取为半峰高在半峰高处吸收峰的宽度波数值离子交换树脂一种包含离子交换团的的树脂可选择性交换水中阴离子或阳离子水回收率产品水流量除以整个的给水流量如果考虑到浓水返回前置回收率一般为如果浓水被排放回收率可为三解答题四探针法用针