南昌理工学院《硅材料检测技术》陈文彬

硅材料检测技术一填空冷热探笔法测太阳能电池导电类型在冷热二端之间建立电场电场的方向冷热电阻率公式二四太阳能电池片样品二端电压的变化量与半导体中非平衡载流子浓度成正比关系刃型位错的柏格斯矢量与位错线垂直而螺型位错的柏格斯矢量平行半导体硅是金刚石结构立方晶系半峰宽半峰宽纯水去离子水即去掉阴阳离子和有机物等杂质的水二名词解释载流子的扩散系数测试要满足的小注入条件无论是直流光电导法或高频光电导法测量少数载流子寿命时应满足的小注入条件注入比的定义是就符合小注入条件电化学腐蚀金属或半导体材料于高温在腐蚀气体中所受到的腐蚀腐蚀液可显示面缺陷广泛应用腐蚀时间储备液水溶液腐蚀液可腐蚀各个晶面随位错线深入到晶体中会出现深的腐蚀坑减少冰醋酸量可使腐蚀加快腐蚀时间小时微缺陷浅坑与位错蚀坑的区别前者呈浅的平底坑显微镜下呈白亮的芯而后者呈深的尖底坑显微镜下呈黑三角形半峰宽在吸收系数与波数关系曲线上取为半峰高在半峰高处吸收峰的宽度波数值离子交换树脂一种包含离子交换团的的树脂可选择性交换水中阴离子或阳离子水回收率产品水流量除以整个的给水流量如果考虑到浓水返回前置回收率一般为如果浓水被排放回收率可为三解答题四探针法用针距约为的四根探针同时压在样品平整表面上利用恒流源给外面二根探针通以电流然后在中间二根探针上用电位差计或其它高输入阻抗的电压表测量电压降再根据电阻率公式计算样品的电阻率一般情况下解理面矿物晶体在外力作用下严格沿着一定结晶方向httpbaikebaiducomview65006htm破裂并且能裂出光滑平面的性质称为解理这些平面称为解理面解理面一般平行于面间距最大面网密度最大的晶面因为面间距大面间的引力小这样就造成解理面一般的晶面指数较低如的解理面为光图定向的基本原理硅单晶面经过研磨择优腐蚀后表面会出现许许多多的小腐蚀坑当一束平行光入射到这些小坑上反射回来的光会在光屏上成像这种光像具有与腐蚀坑相应的宏观对称性根据反射光像的对称性和光图中心的偏离角可以确定晶体生长方向和晶体的晶向偏离角度红外吸收法原理通过研究分子振动的能级来推断分子结构利用物质中的分子对红外辐射的吸收得到与分子结构相应的红外光谱图从而鉴定分子结构的方法称为红外吸收光谱法离子交换法制备纯水的原理利用离子的不断交换与树脂的不断再生的反复进行来制取纯水原水流过离子交换树脂时水中的阴阳离子会与树脂的和离子交换而被吸附到树脂上若阴阳离子树脂比例适当则树脂中等量的和离子进入水中完全结合成水这一过程直至树脂失效然后经过树脂的再生处理恢复树脂的交换能力进行再交换如此往复制取纯水四计算题已知四探针的探针间距为请计算该探针的探针系数解由公式可得