浙江大学城市学院模电习题及答案1

诚信应考 考出水平 考出风格 浙大城市学院期末试卷 课程名称：《模拟电子技术基础》 开课单位：信电分院 ；考试形式：闭卷；考试时间： 年 月 日；所需时间：120分钟 题 序 第1题 第2题 第3题 第4题 第5题 第6题 第7题 第8题 得分 总得分 参考答案及评分标准 评阅人签名 **************************************************************************** 得分 一．填空题（本大题共 5 题，每题 4 分，共 20 分） 1． 半导体器件中有二种载流子，分别是 自由电子 和 空穴 ； 掺杂半导体可分为P型和N型两种，其中对于N型半导体中的多数载流子是 自由电子 ，它由本征半导体掺入 五 价元素形成。 2． 双极型晶体管是由两个PN结紧密排列组成的，它可以分为两种类型，即 NPN 和 PNP 。双极型晶体管的工作模式可分为放大模式、饱和模式与截止模式，它由晶体管的PN结偏置决定。当晶体管工作在放大模式时，要求晶体管的发射结 正向 偏置，集电结 反向 偏置。 3． 场效应晶体管的转移特性曲线
如图1-3所示。试问①号曲线对应为何种类型的场效应晶体管 N沟道耗尽型MOSFET ，它对应的开启（阈值）电压
= -1V 。②号曲线对应为何种类型的场效应晶体管 P沟道结型场效应管 ，它对应的电流
= 2mA 。（注：
为
时的漏极电流）。 4． 图1-4为某多级放大电路，其中各级放大器的增益、输入阻抗、输出阻抗如图中所示，则多级放大器的总增益
= AV1AV2AV3 ，输入阻抗
= Ri1 ，输出阻抗
= Ro3 。多级放大电路的通频带总是比组成它的每一级的通频带要 窄 （宽 或 窄）。
5． 对于一对任意输入信号，它可以分解为差模（或差分）信号与共模信号。若输入信号分别为
和
，则对应的差模信号为

，共模信号为

。在差分放大器中，放大器的增益也可分为两类，即 差模 增益和 共模 增益。 二．分析计算题（本大题共 1 题，每题 10 分，共 10 分） 得分 在图2(a)、(b)所示的二极管电路中，假设二极管是理想的。试分别求解图中对应的
、
电压值和
、
的电流值，并确定各个二极管的工作状态（导通或者截止）。 以下为答题区域 以下为草稿区域 解： 因为二极管是理想的，因此有： 在(a)图中，
， (2分)
(1分) 因此二极管
截止，二极管
道通。 (2分) 在(b)图中，
， (2分)
(1分) 因此二极管
截止，二极管
道通。 (2分) 三．计算题（本大题共 1 题，每题 12 分，共 12 分） 得分 双极型晶体管构成共集放大器电路的交流通路如图3所示。 电路中已知 EMBED Equation.3 
， EMBED Equation.3 
 ， EMBED Equation.3 
。假设晶体管的参数为 EMBED Equation.3 
， EMBED Equation.3 
。试回答： 求输入阻抗 EMBED Equation.3 
和输出阻抗 EMBED Equation.3 
； 计算该放大器的中频电压增益 EMBED Equation.3 
。 以下为答题区域 以下为草稿区域 解： 1．利用发射极电阻与基极电阻的阻抗折算方法可以求得放大器的输入阻抗和输出阻抗。 输入阻抗：  EMBED Equation.DSMT4 
  EMBED Equation.DSMT4 
  EMBED Equation.DSMT4 
 （3分） 输出阻抗：  EMBED Equation.DSMT4 
  EMBED Equation.DSMT4 
  EMBED Equation.DSMT4 
 （3分） 因为 EMBED Equation.DSMT4 
 （3分） 则有  EMBED Equation.DSMT4 
  EMBED Equation.DSMT4 
  EMBED Equation.DSMT4 
 （3分） 四．分析回答题（本大题共 1 题，每题 12 分，共 12 分） 得分 利用运算放大器构成的反馈放大器电路如图4所示，假设运放是理想的( EMBED Equation.3 
)，其中 EMBED Equation.3 
， EMBED Equation.3 
， EMBED Equation.3 
。试回答下列问题： 请说明该反馈类型与反馈性质； 试求出反馈系数 EMBED Equation.3 
； 假设 EMBED Equation.3 
，试求反馈放大器的增益 EMBED Equation.3 
的值。 放大器的输入阻抗 EMBED Equation.3 
 以下为答题区域 以下为草稿区域 解： 1．该放大器电路是电压---串联---负反馈。 （3分） 2．该反馈放大器的基本放大器电路如下图所示：  因此反馈系数为：  EMBED Equation.3 
 （3分） 因为 EMBED Equation.3 
，满足深度负反馈的条件，则有：  EMBED Equation.3 
 （4分） 4因为放大器是理想的，则输入阻抗为：  EMBED Equation.3 
 （2分） 五．作图计算题（本大题共 1 题，每题 12 分，共 12 分） 得分 在图5所示的利用场效应晶体管构成的放大器电路中，假设场效应晶体管工作在饱和区状态，并且已知其跨导 EMBED Equation.3 
。电路中 EMBED Equation.3 
、 EMBED Equation.3 
、 EMBED Equation.3 
、电容 EMBED Equation.3 
对交流等效为短路。试回答： 画出直流偏置电路与放大器的交流通路； 求放大器的电压增益 EMBED Equation.3 
； 试求该电路的输入阻抗 EMBED Equation.3 
与输出阻抗 EMBED Equation.3 
。 以下为答题区域 以下为草稿区域 解： 直流偏置电路与放大器的交流通路如下图所示： (4分)  EMBED Word.Picture.8 
 其中 EMBED Equation.DSMT4 
 输入阻抗： EMBED Equation.3 
 (2分) 输出阻抗： EMBED Equation.3 
 (2分)  EMBED Equation.DSMT4 
 放大器的电压增益： (4分)  EMBED Equation.3 
 六．计算分析题（本大题共 1 题，每题 10 分，共 10 分） 得分 差分放大电路如图6所示。已知 EMBED Equation.3 
， EMBED Equation.3 
。假设晶体管的参数为 EMBED Equation.3 
， EMBED Equation.3 
（其中 EMBED Equation.3 
， EMBED Equation.3 
）。试求差模输入电阻 EMBED Equation.3 
和差模输出阻抗