武汉理工大学考试试题纸( A 卷)
课程名称 大学物理(C) 专业班级 2006~2008级
题号
一
二
三
四
五
六
七
八
九
十
总分
题分
24
24
52
100
备注: 学生不得在试题纸上答题(含填空题、选择题等客观题)
一、选择题(每小题3分,共24分)
某质点的运动方程为 (SI单位制 ),则该质点作( d )
(A)匀加速直线运动,加速度沿X轴正方向;
(B)匀加速直线运动,加速度沿X轴负方向;
(C)变加速直线运动,加速度沿X轴正方向;
(D)变加速直线运动,加速度沿X轴负方向.
某物体作一维运动,其运动规律为,式中k为常数. 当t=0时,初速为,则该物体速度大小与时间的关系为( a )
(A) ; (B) ;
(C) ; (D) .
力(N)作用在质量m=2kg的物体上,使物体由原点从静止开始运动,则它在3s末的速度为( b)
(A) ; (B) ; (C) ; (D) .
一质点作简谐振动,当其偏离平衡位置的位移为振幅的八分之一时,其振动动能为振动总能量的 ( d )
(A)1/8; (B) 1/64; (C) 49/64; (D) 63/64.
图示为一平面简谐波在t时刻的波形曲线,若此时A点处媒质质元
的振动动能在增大,则:(b )
(A)A点处质元的弹性势能减小;
(B)波沿x轴负方向传播;
(C)B点处质元的振动动能减小;
(D)各点的波的能量都不随时间变化.
关于高斯定理的理解有下面几种说法,其中正确的是 ( c )
如果高斯面上处处为零,则该面内必无电荷;
如果高斯面内无电荷,则高斯面上处处为零;
如果高斯面内有净电荷,则通过高斯面的电通量必不为零;
如果高斯面上处处不为零,则高斯面内必有电荷.
真空中一半径为R的未带电的导体球,在离球心O的距离为a(a>R)处放一点电荷q,设无穷远处电势为0,如右图所示,则导体球的电势为( a )
(A); (B);
(C); (D).
边长为L的一个导体方框上通有电流I,则此框中心的磁感应强度( c )
(A)与L无关; (B)正比于 ; (C)与L成反比;
(D)与L成正比; (E)与有关.
二、填空题(每小题3分,共24分)
一质点在x-y平面内运动,运动方程为:,则t (单位s)时刻质点的位矢 ,速度 ,切向加速度 .
质量为0.5kg的质点,在X-Y平面内运动,其运动学方程为(m),在t=2s到t=4s这段时间内,外力对质点作的功为 3j .
已知一谐振动的x-t曲线如下图,则该谐振动的振动表达式(用余弦函数表示)为 .
质量为的小球与轻弹簧组成系统,按规律振动,式中t以秒计,x以米计,则小球的振动频率为 ;初位相为 ;任一时刻振动的总能量为 .
两相干波源 EMBED Equation.3 和 EMBED Equation.3 相距 EMBED Equation.3 /4( EMBED Equation.3 为波长), EMBED Equation.3 的位相比 EMBED Equation.3 的位相落后 EMBED Equation.3 /2,则在 EMBED Equation.3 和 EMBED Equation.3 的连线上, EMBED Equation.3 外侧各点(例如P点)两波引起的简谐振动的位相差是 .
在静电场中有一立方形均匀导体,边长为a,如图所示。已知立方导体中心O处的电势为 EMBED Equation.3 ,则立方体顶点A的电势为 .
某边长为a的正方形的四个角上均固定放置着电量为 EMBED Equation.DSMT4 的点电荷,设无穷远处为零势点,则正方形中心 EMBED Equation.DSMT4 点处的电势为 ,将电量为 EMBED Equation.DSMT4 的点电荷从无穷远处移至 EMBED Equation.DSMT4 点过程中静电力所做的功为 .
如图,半径为R的半圆形闭合线圈,载有图示流向电流I,放在均匀外磁场中,磁场方向与线圈平面平行,磁感强度的大小为B,则线圈的磁矩大小为 ,线圈所受磁力矩大小为 ,方向 .
三、计算题(5题,共52分)
(10)质量为m的子弹以速度 EMBED Equation.3 从左向右水平射入沙土中,设子弹所受阻力大小与速度成正比,比例系数为k,忽略子弹重力,以射入点为坐标原点并开始计时, 水平向右为x轴正方向, 求:
子弹射入沙土后,速度与时间的关系; (2) 子弹射入沙土的最大深度.
1.
(1) EMBED Equation.DSMT4 --------------------