光刻工艺的研究.doc

光刻工艺的研究摘要在平面晶体管和集成电路生产中要进行多次的光刻以实现选择性扩散和金属膜布线的目的光刻工艺是利用光刻胶的感光性和耐蚀性在或金属膜上复印并刻蚀出与掩模版完全对应的几何图形由于光刻工艺是一种非常精细的表面加工技术在平面器件和集成电路生产中得到广泛应用如果把硅片的外延氧化扩散和淀积看成是器件结构的纵向控制的话那么器件的横向控制就几乎全部有光刻来实现因此光刻的精度和质量将直接影响器件的性能指标同时也是影响器件的成品率和可靠性的重要因素目前生产上通常采用的紫外光接触暴光法光刻工艺的一般过程列出几种常用的光刻腐蚀剂配方最后对光刻工艺中较常见的质量问题进行分析和讨论关键词光刻工艺光刻胶质量问题目录前言第章光刻工艺简介光刻工艺的定义光刻工艺剖析表面准备涂光刻胶软烘培对准和曝光第章光刻工艺流程光刻工艺步骤涂胶前烘曝光显影坚膜腐蚀去胶曝光时影像分辨率的因素掩膜版与光刻胶膜的接触情况曝光光线的平行度光的衍射和反射光刻胶膜的质量和厚度曝光时间掩膜版的分辨率和质量第章光刻胶的特性和配置光刻胶的性质光致抗蚀剂的种类负性光致抗蚀剂正性光致抗蚀剂对光致抗蚀剂性能的要求光刻胶的配置光刻胶聚酯类光刻胶第章光刻质量分析光刻过程中的一些缺陷浮胶毛刺和钻蚀针孔小岛附录谢辞参考文献前言在微电子机械系统和集成电路的生产中光刻工艺都是重要的工艺步骤光刻工艺是一种非常精细的表面加工技术随着时代的到来芯片的面积不断增大线宽不断缩小光刻的精度和质量将直接影响器件的性能指标同时也是影响器件的成品率和可靠性的重要因素所以光刻工艺无论是在现在还是在将来都将是一个永无止境的高技术的难题也将面临着各种挑战与此同时不断缩小的器件结构对硅片的内在性能的要求也更高更苛刻这些需求迫使光刻技术不断采用新工艺新技术解决实际问题迎接高科技的挑战第章光刻工艺简介光刻工艺的定义光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上所规定的特定区域的基本操作光刻工艺是是化合物半导体器件制作中最常用的工艺也是最关键的工艺之一它是将掩膜版上的图形转移到衬底表面的光刻胶图形上为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备一般的光刻工艺流程包括前处理匀胶前烘对准曝光显影后烘可以根据实际情况调整流程中的操作根据曝光方式可分为接触式接近式和投影式根据光刻面数的不同有单面对准光刻和双面对准光刻根据光刻胶类型不同有薄胶光刻和厚胶光刻光刻工艺的要求光刻工具具有高的分辨率光刻胶具有高的光学敏感性准确地对准大尺寸硅片的制造低的缺陷密度光刻工艺剖析表面准备微粒清除高压氮气吹除化学湿法清洗旋转刷刷洗高压水流脱水烘焙低温烘焙憎水性亲水性晶圆涂底胶六甲基乙硅烷沉浸式涂底胶旋转式涂底胶蒸气式涂底胶涂光刻胶普通的光刻胶涂胶方法有三种刷法滚转方法和浸泡法封装用光刻胶的涂布方法如下静态涂胶工艺动态喷洒移动手臂喷洒手动旋转器自动旋转器背面涂胶软烘焙热传递的三种方式传导对流和辐射常用的软烘焙加热方式如下对流烘箱手工热板内置式单片晶圆加热板移动带式热板移动带式红外烘箱微波烘焙真空烘焙对准和曝光对准系统的性能表现对准系统包含两个主要子系统一个是要把图形在晶圆表面上准备定位另一个是曝光子系统包括一个曝光光源和一个将辐射光线导向晶圆表面上的机械装置对准与曝光系统光学接触式接近式投影式步进式非光学射线电子束曝光光源高压汞灯准分子激光器射线及电子束对准法则第一个掩膜版的对准是把掩膜版上的轴与晶圆上的平边成放置接下来的掩膜都用对准标记又称靶与上一层带有图形的掩膜对准对准误差称为未对准第章光刻工艺流程在平面管和集成电路生产中都要经过多次光刻虽然各次光刻的目的要求和工艺条件有所差别但其工艺过程是基本相同的光刻工艺一般都要经过涂胶前烘曝光显影坚膜腐蚀和去胶等七个步骤光刻工艺步骤涂胶涂胶就是在或其他薄膜表面涂布一层粘附良好厚度适当厚薄均匀的光刻胶膜涂胶前的硅片表面必须清洁干燥如果硅片搁置较久或光刻返工则应重新进行清洗并烘干后再涂胶生产中最好在氧化或蒸发后立即涂胶此时硅片表面清洁干燥光刻胶的粘附性较好涂胶一般采用旋转法其原理是利用转动时产生的离心力将滴在硅片的多余胶液甩去在光刻胶表面张力和旋转离心力共同作用下扩展成厚度均匀的胶膜胶膜厚度可通过转速和胶的浓度来调节涂胶的厚度要适当膜厚均匀粘附良好胶膜太薄则针孔多抗蚀能力差胶膜太厚则分辨率低在一般情况下可分辨线宽约为膜厚的倍前烘前烘就是在一定的温度下使胶膜里的溶剂缓慢地挥发出来使胶膜干燥并增加其粘附性和耐磨性前烘的温度和时间随胶的种类及膜厚的不同而有所差别一般通过实验来加以确定前烘的温度和时间必须适当温度过高会引起抗蚀剂的热交联在显影时留下底膜或者增感剂升华挥发使感光灵敏度下降前烘温度过低或时间过短则抗蚀剂中的有机溶剂不能充分挥发残留的溶剂分子会妨碍光交链反应从而造成针孔密度增加浮胶或图形变形等同时前烘时还不能骤热以免引起表面鼓泡产生针孔甚至浮胶一般前烘是在恒温干燥箱中烘烤分钟也可以用红外灯在硅片背面烘烤使胶膜的干燥从里到外以获得良好的前烘效果曝光曝光就是对涂有光刻胶的基片进行选择性光化学反应使曝光部分的光刻胶改变在显影液中的溶解性经显影后在光刻胶膜上得到和掩膜版相对应的图形生产上通常都采用紫外光接触曝光法其基本步骤是定位对准和曝光定位对准是使掩膜版的图形和硅片上的图形精确套合因此要求光刻机有良好的对准装置即具有精密的微调和压紧机构特别是在压紧时保证精确套合不发生位移此外光刻机还应具有合适的光学观察系统要求有一个景深较大同时又有足够高分辨率的显微镜曝光量的选择决定于光刻胶的吸收光谱配比膜厚和光源的光谱分布最佳曝光量的确定还要考虑衬底的光反射特性在实际生产中往往以曝光时间来控制曝光量并通过实验来确定最佳曝光时间显影显影是把暴光后的基片放在适当的溶剂里将应去除的光刻胶膜溶除干净以获得腐蚀时所需要的抗蚀剂膜的保护图形胶通常用丁酮坚膜坚膜是在一定温度下对显影后的硅片进行烘焙除去显影时胶膜所吸收的显影液和残留的水份改善胶膜与硅片的粘附性增强角膜的抗蚀能力坚膜的温度和时间要适当坚膜不足则抗蚀剂胶膜没有烘透膜与基片粘附性差腐蚀时易浮胶坚膜温度过高则抗蚀剂胶膜会因热膨胀而翘曲或剥落腐蚀时同样会产生钻蚀或浮胶温度更高时聚合物将分解影响粘附性和抗蚀能力此外坚膜时最好采用缓慢升温和自然冷却的烘焙过程对于腐蚀时间较长的厚膜刻蚀可在腐蚀一半后再进行一次坚膜以提高胶膜的抗蚀能力腐蚀腐蚀就是用适当的腐蚀剂对未被胶膜覆盖的或其他薄膜进行腐蚀以获得完整清晰准确的光刻图形达到选择性扩散或金属布线的目的光刻工艺对腐蚀剂的要求是只对需要除去的物质进行腐蚀而对抗蚀剂胶膜不腐蚀或腐蚀量很小同时还要求腐蚀因子要足够大腐蚀因子的定义是腐蚀深度与一边的横向腐蚀量很小同时还要求腐蚀因子要足够大腐蚀因子的定义是腐蚀深度与一边的横向腐蚀量之比腐蚀因子越大表示横向腐蚀量越小此外还要求腐蚀图形边缘整齐清晰腐蚀液毒性小使用方便去胶刻蚀或离子注入之后已经不再需要光刻胶作保护层可以将其除去称为去胶分为湿法去胶和干法去胶其中湿法去胶又分有机溶剂去胶和无机溶剂去胶有机溶剂去胶主要是使光刻胶溶于有机溶剂而除去无机溶剂去胶则是利用光刻胶本身也是有机物的特点通过一些无机溶剂将光刻胶中的碳元素氧化为二氧化碳而将其除去干法去胶则是用等离子体将光刻胶剥除曝光时影响分辨率的因素掩膜版与光刻胶膜的接触情况若硅片弯曲硅片表面有灰尘或突起胶膜厚度不均匀光刻机压紧机构不良等都会影响掩膜版与光刻胶膜的接触情况从而使分辨率降低曝光光线的平行度曝光光线应与掩膜版和胶膜表面垂直否则将使光刻图形发生畸变光的衍射和反射光波在掩膜版图形边缘的衍射和反射将使分辨率降低光刻胶膜的质量和厚度胶膜越厚光刻胶中固态微粒含量越高则光线在胶膜中因散射而产生的侧向光化学反应越严重光刻图形的分辨率也越低曝光时间曝光时间越长由于光的衍射反射和散射作用使分辨率降低但曝光不足则光反应不充分显影时部分胶被溶解从而使胶膜的抗蚀能力降低针孔密度增加掩膜版的分辨率和质量掩膜版的分辨率和质量将影响光刻分辨率此外显影腐蚀以及光刻胶的性能也是影响光刻分辨率的因素第章光刻胶的特性和配置光刻胶的性质光致抗蚀剂是一种主要由碳氢等元素组成的高分子化合物其分子结构有线型和体型两种线型高分子化合物其长链之间的结合力主要是靠化学键由于分子间作用力比化学键的结合要弱的多所以线型高分子化合物一般是可溶性的而体型高分子化合物往往是难溶性的如果在高分子化合物内部存在不稳定的双键等可变因素的话则在外界光或热的作用下高分子化合物的分子结构就可能会在线型和体型之间发生变化分子结构的变化必然会引起高分子化合物的机械和物理性质的相应变化例如由可溶性变为不可溶性或者相反光刻工艺就是利用光致抗蚀剂有这样内在的可变因素在一定条件下使部分高分子化合物由可溶性转变为不可溶性或由不可溶性转变为可溶性将掩模上的图形复印在光刻胶膜上然后利用光刻胶膜对腐蚀液的抗蚀性在硅片表面选择性地刻蚀或金属膜实现定域扩散及金属膜布线的目的光致抗蚀剂的种类根据光致抗蚀剂在曝光前后溶解性的变化可以分为正性光刻胶和负性光刻胶两种负性光致抗蚀剂曝光前光致抗蚀剂在有机溶剂中是可溶解的曝光后成为不可溶的物质这类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂由此组成的光刻胶称为负性胶目前主要的负性光致抗蚀剂有聚肉桂酸酯类聚酯类和环化橡胶类等聚肉桂酸脂类聚肉桂酸脂类抗蚀剂的特点是在树脂分子的侧链上带有肉桂酰感光性官能团典型的聚肉桂酸脂类抗蚀剂有聚乙烯醇脂又称它是一种浅黄色的纤维状固体能溶解于丙酮丁酮环已酮等有机溶剂中在紫外光的作用下肉桂酰官能团发生二聚反应引起聚合物分子间的交联形成不溶于显影液的立体网状结构光刻胶中加入适量的硝基苊不仅扩大了感光波长范围而且提高了光刻胶的感光灵敏度缩短了曝光时间聚乙烯醇肉桂酸脂经交联反应后生成的立体网状分子结构不再溶于有机溶剂干燥后又能耐酸的腐蚀光刻腐蚀后可以通过多种途径去除干净因此在光刻技术中得到了广泛的应用聚脂类聚脂类光致抗蚀剂的特点是在树脂分子的侧链上含有共轭双键的感光性官能团具有较强的感光灵敏度在感光性树脂分子的主链上含有极性基团因而对一些衬底材料如和有较好的粘附性聚酯类光刻胶也可用硝基苊作增感剂以缩短曝光时间聚酯胶与聚乙烯醇肉桂酸酯比较前者粘附性好分辨率高适合于刻蚀细线条环化橡胶类环化橡胶类抗蚀剂的特点是其交联反应由带有双感光性官能团的交联剂在曝光后产生双自由基和附近的环化橡胶分子相互作用在聚合物分子链之间形成桥键从而变成三维结构的不溶性物质由于这类抗蚀剂和衬底材料有较强的粘附性抗蚀能力也很强特别适合于金属材料的刻蚀但由于氧会使交联剂的光化学分解反应停留在中间阶段即停留在生成的阶段而阻碍了交联反应的进行因此曝光要在充氮或真空条件下进行正性光致抗蚀剂曝光前对某些溶剂是不可溶的而曝光后却变成了可溶性的抗蚀剂称为正性光致抗蚀剂曝光后可用稀碱性水溶液进行显影这时光照部分由于生成羧酸盐而溶解而未受光照部分难溶因而显出与掩膜版相同的正图象正性抗蚀剂的抗碱性差而耐酸性好所以常用水溶液进行显影为了避免钠离子对器件的不良影响也可用有机碱性水溶液进行显影如氢氧化四烷基铵水溶液等由于碱性显影液会受空气中的影响而变质因此显影速率会随时间发生变化但正性光刻胶分辨率高边缘整齐反刻时易于套刻是一种重要的抗蚀剂对光致抗蚀剂性能的要求分辨率高分辨率是指某种光刻胶光刻时所能得到的最小尺寸它通常用的宽度上能刻蚀出可分辨的最大线条数目来表示若能刻蚀出可分辨的最小线宽为线与线之间距离也为则分辨率为单位为条线分辨率与光刻工艺有关也与光致抗蚀剂本身的结构性质有关例如正性胶的分辨率高于负性胶光刻胶的平均分子量越低分子量的分散性越小则分辨率越高灵敏度高光致抗蚀剂的感光灵敏度反映了光刻胶感光所必须的照射量照射量正比于光强和暴光时间对于正性胶灵敏度定义为暴光显影后膜后为零时的最小照射量对于负性胶灵敏度是指暴光显影后膜厚可保留至原膜厚二分之一的照射量光刻胶的感光灵敏度和光刻胶的性质及光刻工艺有关例如由于负性胶在暴光时其交联反应会出现连锁反应因而负性胶一般比正性胶具有更高的灵敏度在工艺上涂胶厚度显影条件光源的光谱成分以及增感剂的作用等都对灵敏度有影响粘附性好抗蚀剂与衬底如金属等之间粘附的牢固程度直接影响到光刻的质量影响粘附性的因素有抗蚀剂的性质衬底的性质及其表面情况实践表明平整致密清洁干燥的衬底表面有利于光刻胶的粘附衬底表面的灰尘油污水汽以及高低不平会形成光刻胶粘附的薄弱区域由于大多数抗蚀剂都是疏水性的而湿氧氧化的表面含有硅醇基羟基形式的表面很容易因氢键的作用而吸附水分子形成亲水性表面疏水性的抗蚀剂和亲水性衬底之间的粘附性很差在生产中湿氧氧化后一般都要用高温干氧吹干表面以形成硅氧桥表面结构从而改善其粘附性为了避免硅片表面粘污和水汽的不良影响最好从高温炉中取出后立即进行涂胶以保证光刻胶和衬底之间有良好的粘附性此外粘附性与胶膜厚度暴光和烘焙因素也有密切关系抗蚀性好光刻工艺要求抗蚀剂在坚膜后能较长时间地抵抗腐蚀剂的侵蚀光致抗蚀剂的抗蚀性与其本身的性质有关例如环化橡胶类抗蚀剂比聚肉桂酸酯类抗蚀剂有更好的抗蚀性能稳定性好光刻工艺要求抗蚀剂在室温和避光的情况下即使加入了增感剂也不发生暗反应在烘烤干燥时不发生热交联为了提高抗蚀剂的稳定性可能加入能抑制活性基团自发反应的稳定剂例如胶可以加对苯二酚等此外还要求光刻胶成膜性好致密性好针孔密度低固态微粒含有率低显影后无残渣刻蚀后易去除干净等性能光刻胶的配制光刻时需根据具体要求将光致抗蚀剂配成胶状液体称为光刻胶光刻胶配制时应根据不同的刻蚀要求选取合适的抗蚀剂增感剂和溶剂溶剂的用量决定着光刻胶的稀稠从而影响光刻胶膜的厚薄光刻胶膜薄暴光时光的散射和衍射作用影响较小显影时间也缩短因此光刻图形清晰边缘整齐有利于提高分辨率但胶膜薄时抗蚀能力降低针孔密度会增加所以应根据各次光刻对分辨率和抗蚀性的要求来决定光刻胶的浓度配比选择的一般原则是在保证抗蚀能力的条件下用较薄的胶膜以提高分辨率增感剂的用量决定着光刻胶的感光灵敏度光刻胶中加入适量增感剂可以缩短暴光时间增感剂用量过多光在感光膜表面被强烈吸收会造成内层光刻胶暴光不足显影时出现浮胶增感剂过多还会使胶膜变脆增感剂在显影时被溶解还会使针孔密度增加因此增感剂的用量必须适当光刻胶对于光刻胶其组分的变化范围通常为抗蚀剂聚乙烯醇肉桂酸酯增感剂硝基苊溶剂环已酮聚酯类光刻胶对于聚酯类光刻胶常用的配方为抗蚀剂聚肉桂叉丙二酸乙醇酯增感剂硝基苊溶剂环已酮光刻时可以根据不同的光刻对象和要求选用不同配比的光刻胶光刻胶一般在暗室红灯下配制待光刻胶充分溶解后可用离心法过滤法或沉降法除去光刻胶中的故态杂质微粒离心法是用每分钟转的不锈钢离心管高速旋转使固态微粒在离心力作用下沉积于不锈钢管底部而除去过滤法是将光刻胶通过压滤吸滤或自然过滤的方法经微孔过滤膜而除去固态微粒沉降法是将配好的光刻胶在干燥避光的环境中静置数天使固体微粒自然沉降而除去得到均匀澄清的光刻胶供光刻工艺使用第章光刻质量分析平面晶体管和集成电路制造中要进行多次光刻而光刻工艺的质量不仅影响器件特性而且对器件的成品率和可靠性也有很大影响半导体器件生产对光刻质量的要求是刻蚀图形完整尺寸准确边缘整齐图形外氧化层上没有针孔图形内没有残留的被腐蚀物质同时要求套合准确无沾污等但在光刻过程中常会出现浮胶毛刺钻蚀针孔和小岛等缺陷本结讨论这些缺陷产生的原因及其对器件特性的影响光刻过程中的一些缺陷浮胶浮胶就是在显影或腐蚀过程中由于化学试剂不断侵入光刻胶膜与或其他薄膜间的界面引起抗蚀剂胶膜皱起或剥落的现象光刻时产生浮胶将严重影响光刻图形的质量甚至造成整批硅片的报废产生浮胶的原因往往和胶膜与似底的粘附性有密切关系显影时产生的原因涂胶前硅片表面不清洁沾有油污或水汽使胶膜表面间沾污不良光刻配制有误或胶液陈旧变质胶的光化学反应性能不好与硅片表面粘附能力差前烘时间不足或过度暴光不足光化学反应不彻底部分胶膜容于显影液中引起浮胶显影时间过长腐蚀时产生浮胶的原因坚膜不足胶膜没有烘透沾附性差在腐蚀液作用下引起浮胶腐蚀液配比不当如腐蚀的氢氟酸缓冲腐蚀液中氢化铵太少腐蚀液活泼性太强腐蚀温度太高或太低温度太低腐蚀时间太长腐蚀液穿透或从胶膜底部渗入引起浮胶温度太高则腐蚀液活泼性强也可能产生浮胶此外显影时产生浮胶的因素也可能造成腐蚀时浮胶腐蚀时浮胶会使掩蔽区的氧化层受到严重破坏在光刻时必须加以注意毛刺和钻蚀腐蚀时如果腐蚀液渗入光刻胶膜的边缘使图形边缘受到腐蚀从而破坏掩蔽扩散的氧化层或捛条的完整性若渗透腐蚀较轻图形边缘出现针状的局部破坏习惯上称为毛刺若图形边缘腐蚀严重出现锯齿状或花斑状的破坏称为钻蚀当掩蔽膜窗口存在毛刺和钻蚀时会引起侧面扩散结特性变坏影响器件的成品率和可靠性产生毛刺或钻蚀的原因有基片表面不清洁存在油污灰尘或水汽使光刻胶和氧化层粘附不良引起毛刺或局部钻蚀氧化层表面存在磷硅玻璃特别是磷的浓度较大时表面与光刻胶粘附性不好耐腐蚀性能差容易造成钻蚀光刻胶中存在颗粒状物质造成局部粘附不良对于光聚合型光刻胶暴光不足显影时产生钻溶腐蚀时造成毛刺或钻蚀显影时过长图形边缘发生钻溶腐蚀时造成钻溶掩模图形的边缘有毛刺状缺陷以及硅片表面有突起或固体颗粒在对准定位时掩模与硅片表面间有摩擦使图形的边缘有划痕腐蚀时产生毛刺针孔在光刻图形外面的氧化层上经光刻后会出现直径为微米数量级的小孔洞称为针孔针孔的存在将使氧化层不能有效地起到杂质扩散的掩蔽作用和绝缘作用在平面器件生产中尤其对集成电路和大功率器件氧化层针孔是影响成品率的主要因素例如光刻集成电路隔离槽时在隔离区上的针孔经隔离扩散后会形成型管道将使晶体管的集电结结面不平整甚至造成基区与村底路对于大功率平面晶体官光刻引线孔时在延伸电极处的膜上产生针孔则会造成金属化电极与集电区之间的短路因此在大功率晶体管和集成电路产生中往往在刻引线孔之后进行低温沉积然后套引线孔以减少氧化层针孔光刻时产生针孔的原因有氧化硅薄膜表面有尘土石英屑硅渣等外来颗粒使得涂胶与基片表面未充分沾润留有未覆盖的小区域腐蚀时产生针孔光刻胶中含有固体颗粒影响暴光效果显影时剥落腐蚀时产生针孔光刻胶模本身抗蚀能力差或胶模太薄腐蚀液局部穿透胶模造成针孔前烘不足残存溶剂阻碍抗腐蚀剂挥发过快而鼓泡腐蚀时产生针孔暴光不足关联不充分或暴光时间过长胶层发生皱皮腐蚀液穿透胶模而产生腐蚀斑点腐蚀液配方不当腐蚀能力太强掩模版透光区存在灰尘或黑斑暴光时局部胶模未暴光显影时被溶解腐蚀后产生针孔小岛小岛是指在应该将氧化层刻蚀干净的光刻窗口内还留有没有刻蚀干净的氧化局部区域形成状不规则习惯上称为小岛小岛的存在使扩散区域的局部点有氧化层阻碍了杂质在该处的扩散而形成异常区造成器件击穿特性变坏反向漏电增加甚至极间穿通光刻中产生小岛的原因有掩模版图形上的针孔或损伤在暴光时形成漏光点使该处的光刻胶模感光交联保护了氧化层不被腐蚀形成小岛对这种情况可在光刻腐蚀后易版或移位再进行一次套刻以减少或消除小岛暴光过度或光刻胶变质失效以及显影不足局部区域光刻胶在显影时溶解不净氧化层表面有局部耐腐蚀物质如硼硅玻璃等腐蚀液不干净存在阻碍腐蚀作用的脏物因此必须定期更换新的腐蚀液附录附录光的折射率光的折射光通过一种透明介质进入到另一种透明介质的时候发生方向的改变主要是因为在两种介质中光的传播速度不同光在真空中的传播速度最快所以在真空介质中光线与界面法线方向的夹角最大绝对折射率表征光在介质中传播时介质对光的一种特征光从真空射入另一种介质时会发生折射现象该介质的绝对折射率定义为入射角的正弦值与折射角的正弦值之比即折射率其中表示光在真空中的传播速度因为光在真空中的传播速度最快所以其他任何介质的绝对折射率都应该大于此外对同一种介质不同波长的光入射其绝对折射率也不相同折射率随着波长的减少而增大即红光的折射率最小而紫外光的折射率最大通常我们说某物质的折射率比如水水晶金刚石玻璃都是针对钠黄光而言的黄光的波长为而在的深紫外来说水的折射率为相对折射率当光从介质射入介质中时介质相对于介质的相对折射率被定义为入射角的正弦值与折射角的正弦值之比即可以这样说绝对折射率是介质相对于真空的折射率而相对折射率则是两种介质中光传播速度的比值程序宋体小四首行缩进个字符谢辞走得最快的总是时间来不及感叹大学生活已近尾声三年的努力与付出随着本次论文的完成将要划上完美的句号本论文在丁兰老师的悉心指导和严格要求下已完成从课题选择到具体的写作过程论文初稿与定稿无不凝聚着丁老师的心血和汗水我们的毕业设计期间丁老师一丝不苟的作风严谨求实的态度使我深受感动没有这样的帮助和关怀我不会这么顺利的完成毕业设计在此向丁兰老师表示深深的感谢和崇高的敬意参考文献莫大康光刻技术最新进展电子产品世界袁琼雁王向朝施伟杰李小平浸没式光刻技术的研究进展激光与光电子学进展童志义葛劢冲国外半导体制造设备市场电子工业专用设备童志义光学光刻技术现状及发展趋势电子工业专用设备庄童曾集成电路制造技术原理与实践北京电子工业出版社施敏现代半导体器件物理北京科学技术出版社来五星轩建平史铁林杨叔子微制造光刻工艺中光刻胶性能的比较武汉华中科技大学微系统中心