光刻工艺的研究.doc

光刻工艺的研究摘要在平面晶体管和集成电路生产中要进行多次的光刻以实现选择性扩散和金属膜布线的目的光刻工艺是利用光刻胶的感光性和耐蚀性在或金属膜上复印并刻蚀出与掩模版完全对应的几何图形由于光刻工艺是一种非常精细的表面加工技术在平面器件和集成电路生产中得到广泛应用如果把硅片的外延氧化扩散和淀积看成是器件结构的纵向控制的话那么器件的横向控制就几乎全部有光刻来实现因此光刻的精度和质量将直接影响器件的性能指标同时也是影响器件的成品率和可靠性的重要因素目前生产上通常采用的紫外光接触暴光法光刻工艺的一般过程列出几种常用的光刻腐蚀剂配方最后对光刻工艺中较常见的质量问题进行分析和讨论关键词光刻工艺光刻胶质量问题目录前言第章光刻工艺简介光刻工艺的定义光刻工艺剖析表面准备涂光刻胶软烘培对准和曝光第章光刻工艺流程光刻工艺步骤涂胶前烘曝光显影坚膜腐蚀去胶曝光时影像分辨率的因素掩膜版与光刻胶膜的接触情况曝光光线的平行度光的衍射和反射光刻胶膜的质量和厚度曝光时间掩膜版的分辨率和质量第章光刻胶的特性和配置光刻胶的性质光致抗蚀剂的种类负性光致抗蚀剂正性光致抗蚀剂对光致抗蚀剂性能的要求光刻胶的配置光刻胶聚酯类光刻胶第章光