浅谈LED芯片的制造工艺流程.doc

浅谈芯片的制造工艺流程外延生长的基本原理是在一块加热至适当温度的衬底基片主要有蓝宝石和上气态物质有控制的输送到衬底表面生长出特定单晶薄膜目前外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法介绍金属有机物化学气相淀积简称年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术该设备集精密机械半导体材料真空电子流体力学光学化学计算机多学科为一体是一种自动化程度高价格昂贵技术集成度高的尖端光电子专用设备主要用于氮化镓系半导体材料的外延生长和蓝色绿色或紫外发光二极管芯片的制造也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一芯片的制造工艺流程外延片清洗镀透明电极层透明电极图形光刻腐蚀去胶平台图形光刻干法刻蚀去胶退火沉积窗口图形光刻腐蚀去胶极图形光刻预清洗镀膜剥离退火极图形光刻镀膜剥离研磨切割芯片成品测试其实外延片的生产制作过程是非常复杂的在展完外延片后下一步就开始对外延片做电极极极接着就开始用激光机切割外延片以前切割外延片主要用钻石刀制造成芯片后在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试主要对电压波长亮度进行测试能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片就放